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FET，MOSFET - 單個
SI3475DV-T1-GE3參考圖片

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SI3475DV-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
950mA（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
950mA（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.61 歐姆 @ 900mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
18nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
500pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
暫無價格
參考庫存:46277
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
暫無價格
參考庫存:46285
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
暫無價格
參考庫存:46293
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
暫無價格
參考庫存:46301
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
暫無價格
參考庫存:46309
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