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參數 | 參數值 |
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包裝
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托盤
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系列
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GaN
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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HEMT
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頻率
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2.5GHz
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增益
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21.5dB
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電壓 - 測試
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28V
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額定電流(安培)
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-
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噪聲系數
|
-
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電流 - 測試
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1.2A
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功率 - 輸出
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120W
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電壓 - 額定
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84V
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封裝/外殼
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440095
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供應商器件封裝
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440095
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
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暫無價格
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參考庫存:46470
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FET,MOSFET - 射頻
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FET RF TO-270-2 GW
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暫無價格
|
參考庫存:46478
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FET,MOSFET - 射頻
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FET RF 65V 2GHZ NI-200S
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暫無價格
|
參考庫存:46486
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FET,MOSFET - 射頻
|
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
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暫無價格
|
參考庫存:46494
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FET,MOSFET - 射頻
|
FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230
|
暫無價格
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參考庫存:46502
|
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